Neste tópico, vamos mergulhar no universo dos transistores, componentes essenciais na amplificação e controle do fluxo de corrente elétrica em circuitos, garantindo…
Transistor BD139
REF: BCT54
O Transistor BD139 é um transistor do tipo BJT NPN, indicado para controle de circuitos de média potência.
Principais características
- Alto ganho de corrente
- Boa linearidade para amplificadores
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O Transistor BD139 é um transistor do tipo BJT NPN, indicado para circuitos amplificadores e drivers de média potência ou como peça de reposição. Graças ao alto ganho de corrente DC e a linearidade característica dos transistores de junção bipolar, permite a construção de circuitos com alta fidelidade de sinais e com um consumo de potência razoável.
Devido à suas características pode ser utilizado em indústrias, aplicações automobilísticas, circuitos eletrônicos portáteis ou que utilizam baterias e necessitam de fidelidade nos sinais.
Como funciona
Os transistores de junção bipolar (BJT) trabalham com três camadas de dopagem, tipo P ou tipo N, unidos em série. A parte central será de uma dopagem enquanto as extremidades serão da dopagem oposta. Por isso os transistores desse tipo tem a especificação NPN ou PNP, o que ilustra a disposição das regiões de dopagem.
A corrente que circula entre coletor e emissor é proporcional a corrente que entra na base do transistor. Um dos parâmetros principais refere-se justamente à amplificação da corrente de base em relação a corrente de coletor, que é o ganho de corrente DC de um transistor bipolar.
Diferente dos mosfets, para o transistor bipolar permanecer ativo é preciso que haja circulação de corrente na base, consumindo mais energia. Entretanto para amplificação de sinais analógicos o transistor bipolar possui uma linearidade maior, sendo mais fiel na amplificação de sinais e inserindo menos distorções.
Confira os diversos tipos de transistores na Makerhero: NPN, PNP, Darlington, Mosfets, potência e outros.
Especificações do Transistor BD139
- Transistor BD139 (Datasheet)
- Tipo: BJT PNP
- Tensão coletor-emissor Vceo: 80VDC
- Tensão coletor-base Vcbo: 100VDC
- Tensão emissor-base Vebo: 5VDC
- Tensão coletor-emissor de saturação Vcesat: 0.5VDC
- Corrente coletor Ic (máxima): 1.5A
- Ganho de corrente (mínimo): 40 (Ic 0.5A e Vce 2V)
- Encapsulamento: TO-225
- Temperatura de operação: -55 a 150°C
Acompanha
01 – Transistor BD139
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