Transistor IRF640 - MakerHero
Componentes, Transistor

Transistor IRF640

REF: BCT59

O Transistor IRF640 é um transistor do tipo mosfet canal N, indicado para controle de circuitos de alta potência.

Principais características

  • Especificado para avalanche repetitiva
  • Chaveamento rápido
  • Requisitos de drivers simples

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    FRETE E PRAZO

    O Transistor IRF640 é um transistor do tipo mosfet canal N, indicado para controle de circuitos de alta potência. Não requer drivers complexos para acionamento, é especificado para situações de avalanche repetitivas, como o acionamento de cargas indutivas sem a necessidade de circuitos adicionais de proteção.

    Esse transistor possui como características um rápido sistema de acionamento, e pode ser utilizado em indústrias, aplicações automobilísticas, controles DC/DC, circuitos eletrônicos portáteis ou que utilizam baterias.

    Como funciona

    Os transistores de efeito de campo (MOSFETS) trabalham com um canal de uma dopagem, tipo P ou tipo N, e dois terminais da dopagem oposta. O canal possui conexão ao gate ou porta através de uma camada isolante, formando um capacitor. De acordo com a tensão aplicada no gate, o canal passa a se comportar como a mesma dopagem e permitindo o fluxo de elétrons. Os parâmetros de construção de cada transistor alteram suas características, como a resistência entre dreno e fonte, tensão de acionamento, corrente máxima entre outros.

    Graças ao isolamento do terminal gate, o acionamento quase não necessita de corrente, apenas para a abertura do canal. O comportamento é similar à carga de um capacitor. Isso o torna uma opção mais econômica em termos de energia que os transistores BJT. A maioria dos dispositivos eletrônicos atuais tem como base os transistores de efeito de campo para todas as suas funções.

    Confira os diversos tipos de transistores na Makerhero: NPN, PNP, Darlington, Mosfets, potência e outros.

    Especificações do Transistor IRF640

    • Transistor IRF640 (Datasheet)
    • Tipo: MOSFET Canal N
    • Tensão dreno-fonte (Vds) máxima: 200VDC
    • Corrente de dreno máxima (contínua): 18A (Tc = 25°C)
    • Corrente de dreno máxima (pico): 72A (largura de pulso limitada pela temperatura da junção)
    • Dissipação de potência máxima: 125W (Tc = 25ºC)
    • Temperatura de operação: -55 a 150°C
    • Tensão limiar de acionamento (Gate): 2 à 4VDC
    • Resistência dreno-fonte: 0.18Ω
    • Tensão do diodo de corpo: 2V
    • Encapsulamento: TO-220

    Acompanha

    01 – Transistor IRF640

    SKU: BCT59 Categorias: ,