Neste tópico, vamos mergulhar no universo dos transistores, componentes essenciais na amplificação e controle do fluxo de corrente elétrica em circuitos, garantindo…
Componentes, Transistor
Transistor IRFP260N MOSFET N-Channel
REF: BCTB1
O Transistor IRFP260N é um MOSFET N-Channel de alta potência, ideal para aplicações de comutação e amplificação em fontes chaveadas, inversores, controladores de motor e circuitos de áudio. Oferece baixo Rds(on), alta corrente de dreno e excelente desempenho térmico.
Principais características:
- MOSFET N-Channel de alta potência
- Tensão de dreno-fonte de até 200V
- Corrente de dreno contínua de até 50A
- Baixa resistência Rds(on) para eficiência em comutação
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O Transistor IRFP260N é um MOSFET N-Channel de alta potência, projetado para aplicações de comutação rápida e amplificação em circuitos eletrônicos de alto desempenho. Amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, drivers de motor, amplificadores de áudio e outras aplicações de potência, ele combina alta corrente de dreno, baixa resistência de condução e excelente estabilidade térmica.
Este MOSFET possui tensão máxima de dreno-fonte de 200V e corrente contínua de dreno de até 50A, permitindo sua utilização em circuitos de alta potência sem comprometer a confiabilidade. A baixa resistência Rds(on) garante eficiência elevada, reduzindo perdas de energia e aquecimento durante a operação.
O IRFP260N apresenta rápido tempo de comutação, o que o torna ideal para aplicações em que a velocidade de resposta é crítica. Seu encapsulamento TO-247 facilita a dissipação de calor e a montagem em dissipadores, assegurando operação segura mesmo sob cargas elevadas.
Além disso, este transistor possui alta robustez contra sobrecorrente e sobre-temperatura, permitindo maior confiabilidade em projetos industriais, hobby e profissionais. Seu uso é recomendado em projetos que exigem componentes confiáveis, duráveis e de fácil integração em placas eletrônicas de potência.
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Especificações do Transistor IRFP260N
- Transistor IRFP260N (Datasheet)
- Tipo: MOSFET N-Channel
- Tensão dreno-fonte (Vds): 200V
- Corrente de dreno contínua (Id): 50A
- Resistência Rds(on): 0,04Ω (máx.)
- Tensão de gate (Vgs): ±20V
- Potência máxima dissipável (Pd): 300W
- Temperatura de operação: -55°C a 175°C
- Encapsulamento: TO-247
Acompanha
01 – Transistor IRFP260N MOSFET N-Channel
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