Neste tópico, vamos mergulhar no universo dos transistores, componentes essenciais na amplificação e controle do fluxo de corrente elétrica em circuitos, garantindo…
Transistor IRFP460 MOSFET N-Channel
REF: BCTB4
O Transistor IRFP460 MOSFET N-Channel é um componente de alta tensão e potência, indicado para aplicações que exigem robustez, confiabilidade e excelente desempenho em comutação. Ideal para uso em fontes chaveadas, inversores, nobreaks e sistemas de potência industrial.
Principais características:
- MOSFET N-Channel de alta tensão
- Tensão dreno-fonte de até 500V
- Boa capacidade de corrente para aplicações de potência
- Indicado para fontes, inversores e nobreaks
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O Transistor IRFP460 MOSFET N-Channel é um componente de alta tensão desenvolvido para aplicações de potência que exigem robustez, estabilidade e excelente desempenho em comutação. Muito utilizado em fontes chaveadas, inversores, nobreaks, sistemas de aquecimento por indução e aplicações industriais, este MOSFET oferece confiabilidade mesmo sob condições severas de operação.
Projetado para suportar tensões elevadas, o IRFP460 possui tensão máxima dreno-fonte de 500V, tornando-o ideal para circuitos que operam com altas tensões DC. Sua estrutura garante boa capacidade de corrente e estabilidade térmica, reduzindo falhas e aumentando a durabilidade do sistema.
O dispositivo apresenta desempenho eficiente em comutação, permitindo sua utilização em aplicações de média e alta frequência. Seu encapsulamento TO-247 facilita a montagem em dissipadores de calor, garantindo uma dissipação térmica eficiente e operação segura mesmo em regimes de potência elevados.
Graças à sua construção robusta e confiável, o IRFP460 é amplamente utilizado em projetos industriais, profissionais e educacionais, sendo uma excelente escolha para quem busca um MOSFET N-Channel de alta tensão, durável e de fácil integração em projetos de potência.
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Especificações do Transistor IRFP460
- Transistor IRFP460 (Datasheet)
- Tipo: MOSFET N-Channel
- Tensão dreno-fonte (Vds): 500V
- Corrente de dreno contínua (Id): até 20A
- Resistência Rds(on): aprox. 0,27Ω
- Tensão de gate (Vgs): ±20V
- Potência máxima dissipável (Pd): até 280W
- Encapsulamento: TO-247
- Temperatura de operação: -55°C a 150°C
Acompanha
01 – Transistor IRFP460 MOSFET N-Channel
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