Neste tópico, vamos mergulhar no universo dos transistores, componentes essenciais na amplificação e controle do fluxo de corrente elétrica em circuitos, garantindo…
Transistor IRFZ44N
REF: BCT58
O Transistor IRFZ44N é um transistor do tipo mosfet canal N, indicado para controle de circuitos de alta potência.
Principais características
- Resistência on baixa
- Chaveamento rápido
- Requisitos de drivers simples
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O Transistor IRFZ44N é um transistor do tipo mosfet canal N, indicado para controle de circuitos de alta potência. Não requer drivers complexos para acionamento e possui uma baixa resistência entre dreno e fonte, sendo uma excelente escolha para cargas de alta corrente.
Ainda mais, esse transistor possui como características um rápido sistema de acionamento, e pode ser utilizado em indústrias, aplicações automobilísticas, controles DC/DC, circuitos eletrônicos portáteis ou que utilizam baterias.
O que é o Transistor IRFZ44N
O Transistor é um componente que é uma das bases da eletrônica moderna. Ele pode atuar como uma chave controlada eletricamente ou uma resistência controlada por tensão. Sendo assim, devido às suas características, é a base para compor os mais diversos circuitos, como amplificadores, fontes e tantos outros circuitos.
Como funciona
Os transistores de efeito de campo (MOSFETS) trabalham com um canal de uma dopagem, tipo P ou tipo N, e dois terminais da dopagem oposta. O canal possui conexão ao gate ou porta através de uma camada isolante, e como resultado formando um capacitor. De acordo com a tensão aplicada no gate, o canal passa a se comportar como a mesma dopagem e permitindo o fluxo de elétrons. Os parâmetros de construção de cada transistor alteram suas características, assim como a resistência entre dreno e fonte, tensão de acionamento, corrente máxima entre outros.
Graças ao isolamento do terminal gate, o acionamento quase não necessita de corrente, apenas para a abertura do canal. O comportamento é como se fosse a carga de um capacitor. Assim sendo, é uma opção mais econômica em termos de energia que os transistores BJT. Dessa forma, a maioria dos dispositivos eletrônicos atuais tem como base os transistores de efeito de campo para todas as suas funções.
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Especificações do Transistor IRFZ44N
- Transistor IRFZ44 N (Datasheet)
- Tipo: MOSFET Canal N
- Tensão dreno-fonte (Vds) máxima: 60VDC
- Corrente de dreno máxima (contínua): 50A (Tc = 25°C)
- Corrente de dreno máxima (pico): 200A (largura de pulso limitada pela temperatura da junção)
- Dissipação de potência máxima: 150W (Tc = 25ºC)
- Temperatura de operação: -55 a 175°C
- Tensão limiar de acionamento (Gate): 2 à 4VDC
- Resistência dreno-fonte: 0.028Ω
- Tensão do diodo de corpo: 2.5V
- Encapsulamento: TO-220
Acompanha
01 – Transistor IRFZ44N
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