Transistor K30EH5 IGBT

O Transistor K30EH5 IGBT é um dispositivo de potência desenvolvido para aplicações que exigem chaveamento eficiente, alta capacidade de corrente e elevada confiabilidade operacional. Por ser um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), ele combina a facilidade de acionamento por tensão do MOSFET com a robustez de condução típica dos transistores bipolares, tornando-se ideal para circuitos de média e alta potência.

Este componente é amplamente utilizado em inversores de frequência, fontes chaveadas, controle de motores DC e AC, sistemas de automação industrial, no-breaks, conversores de energia e acionamentos eletrônicos. Seu desempenho estável permite operar com cargas elevadas, oferecendo boa eficiência energética e redução de perdas durante o chaveamento.

O encapsulamento TO-247 proporciona excelente dissipação térmica e facilita a fixação em dissipadores de calor, garantindo maior estabilidade térmica e aumento da vida útil do componente, mesmo em aplicações de uso contínuo ou ambientes com altas temperaturas.

Por possuir gate isolado, o K30EH5 pode ser controlado diretamente por circuitos de acionamento com baixa corrente, simplificando o projeto eletrônico e reduzindo a complexidade do circuito de controle. Essa característica torna o IGBT especialmente indicado para projetos que buscam eficiência, confiabilidade e facilidade de integração.

Robusto e versátil, o Transistor K30EH5 IGBT é indicado tanto para aplicações profissionais e industriais quanto para projetos educacionais e experimentais que envolvem eletrônica de potência, sendo uma excelente escolha para quem busca desempenho consistente e durabilidade.

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Especificações do Transistor K30EH5

• Transistor K30EH5 (Datasheet)
• Tipo: IGBT
• Tensão coletor-emissor (Vce): 650V
• Corrente de coletor contínua (Ic): até 55A
• Tensão de gate-emissor (Vge): ±20V
• Potência máxima dissipável (Pd): até 188W
• Encapsulamento: TO-247
• Temperatura de operação: -55°C a 150°C

Acompanha

01 – Transistor K30EH5 IGBT

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