Neste tópico, vamos mergulhar no universo dos transistores, componentes essenciais na amplificação e controle do fluxo de corrente elétrica em circuitos, garantindo…
Transistor K50T60 IGBT
REF: BCTB6
O Transistor K50T60 IGBT é um componente de potência indicado para aplicações que exigem chaveamento eficiente, alta corrente e confiabilidade, sendo amplamente utilizado em inversores, fontes chaveadas, controle de motores e sistemas industriais. Com encapsulamento TO-247, oferece excelente dissipação térmica e fácil montagem em dissipadores.
Principais características:
- Tipo: IGBT
- Ideal para aplicações de potência e chaveamento
- Encapsulamento TO-247, adequado para dissipação térmica
- Amplamente utilizado em inversores, fontes e controle de motores
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O Transistor K50T60 IGBT, equivalente ao IKW50N60T, é um dispositivo de potência desenvolvido para aplicações que exigem chaveamento eficiente, alta capacidade de corrente e elevada confiabilidade operacional. Por ser um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), ele combina a facilidade de acionamento por tensão do MOSFET com a robustez de condução típica dos transistores bipolares, tornando-se ideal para circuitos de média e alta potência.
Este componente é amplamente utilizado em inversores de frequência, fontes chaveadas, controle de motores DC e AC, sistemas de automação industrial, no-breaks, conversores de energia e acionamentos eletrônicos. Seu desempenho estável permite operar com cargas elevadas, oferecendo boa eficiência energética e redução de perdas durante o chaveamento.
O encapsulamento TO-247 proporciona excelente dissipação térmica e facilita a fixação em dissipadores de calor, garantindo maior estabilidade térmica e aumento da vida útil do componente, mesmo em aplicações de uso contínuo ou ambientes com altas temperaturas.
Por possuir gate isolado, o K50T60 pode ser controlado diretamente por circuitos de acionamento com baixa corrente, simplificando o projeto eletrônico e reduzindo a complexidade do circuito de controle. Essa característica torna o IGBT especialmente indicado para projetos que buscam eficiência, confiabilidade e facilidade de integração.
Robusto e versátil, o Transistor K50T60 IGBT é indicado tanto para aplicações profissionais e industriais quanto para projetos educacionais e experimentais que envolvem eletrônica de potência, sendo uma excelente escolha para quem busca desempenho consistente e durabilidade.
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Especificações do Transistor K50T60
- Transistor K50T60 / IKW50N60T (Datasheet)
- Tipo: IGBT
- Tensão coletor-emissor (Vce): 600V
- Corrente de coletor contínua (Ic): até 50A
- Tensão de gate-emissor (Vge): ±20V
- Potência máxima dissipável (Pd): até 333W
- Encapsulamento: TO-247
- Temperatura de operação: -40°C a 175°C
Acompanha
01 – Transistor K50T60 IGBT
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