Transistor Mosfet IRF730

O Transistor IRF730 é um transistor do tipo mosfet canal N, indicado para controle de circuitos de alta potência. Ele conta com uma baixa resistência quando ligado e é especificado para situações de avalanche repetitivas, como o acionamento de cargas indutivas sem a necessidade de circuitos adicionais de proteção.

Ainda mais, esse transistor possui como características um rápido sistema de acionamento, e pode ser utilizado em indústrias, aplicações automobilísticas, controles DC/DC, circuitos eletrônicos portáteis ou que utilizam baterias.

O que é o Transistor IRF730

O Transistor é um componente que é uma das bases da eletrônica moderna. Ele pode atuar como uma chave controlada eletricamente ou uma resistência controlada por tensão. Sendo assim, devido às suas características, é a base para compor os mais diversos circuitos, como amplificadores, fontes e tantos outros circuitos.

Como funciona

Os transistores de efeito de campo (MOSFETS) trabalham com um canal de uma dopagem, tipo P ou tipo N, e dois terminais da dopagem oposta. O canal possui conexão ao gate ou porta através de uma camada isolante, e como resultado formando um capacitor. De acordo com a tensão aplicada no gate, o canal passa a se comportar como a mesma dopagem e permitindo o fluxo de elétrons. Os parâmetros de construção de cada transistor alteram suas características, assim como a resistência entre dreno e fonte, tensão de acionamento, corrente máxima entre outros.

Graças ao isolamento do terminal gate, o acionamento quase não necessita de corrente, apenas para a abertura do canal. O comportamento é como se fosse a carga de um capacitor. Assim sendo, é uma opção mais econômica em termos de energia que os transistores BJT. Dessa forma, a maioria dos dispositivos eletrônicos atuais tem como base os transistores de efeito de campo para todas as suas funções.

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Especificações do Transistor IRF730

• Transistor IRF730 (Datasheet)
• Tipo: MOSFET Canal N
• Tensão dreno-fonte (Vds) máxima: 400VDC
• Corrente de dreno máxima (contínua): 7.2A (Tc = 25°C)
• Corrente de dreno máxima (pico): 29A (largura de pulso limitada pela temperatura da junção)
• Dissipação de potência máxima: 125W (Tc = 25ºC)
• Temperatura de operação: -55 a 150°C
• Tensão limiar de acionamento (Gate): 2 à 4VDC
• Resistência dreno-fonte: <= 1Ω
• Tensão do diodo de corpo: 1.2V
• Encapsulamento: TO-220

Acompanha

01 – Transistor IRF730

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