O Transistor BD677 é um transistor do tipo BJT NPN Darlington, indicado para circuitos amplificadores e drivers de média potência ou como peça de reposição. Apresenta em sua construção interna uma estrutura do tipo par darlington, onde dois transistores são cascateados para um maior ganho.
Graças ao alto ganho de corrente DC e a linearidade característica dos transistores de junção bipolar, permite a construção de circuitos com alta fidelidade de sinais e com um consumo de potência razoável. Dessa forma, por causa das suas características, pode ser utilizado em indústrias, circuitos eletrônicos portáteis ou que utilizam baterias e necessitam de fidelidade nos sinais.
Como funciona o Transistor NPN BD677
Os transistores de junção bipolar (BJT) trabalham com três camadas de dopagem, tipo P ou tipo N, unidos em série. A parte central será de uma dopagem enquanto as extremidades serão da dopagem oposta. Por isso os transistores desse tipo tem a especificação NPN ou PNP, o que ilustra a disposição das regiões de dopagem.
A corrente que circula entre coletor e emissor é proporcional a corrente que entra na base do transistor. Sendo assim, um dos parâmetros principais refere-se justamente à amplificação da corrente de base em relação a corrente de coletor, que é o ganho de corrente DC de um transistor bipolar.
Diferente dos mosfets, para o transistor bipolar permanecer ativo é preciso que haja circulação de corrente na base, dessa forma consumindo mais energia. Entretanto para amplificação de sinais analógicos o transistor bipolar possui uma linearidade maior, sendo mais fiel na amplificação de sinais e inserindo menos distorções.
O par Darlington funciona conectando-se o coletor de dois transistores juntos, e o emissor de um a base do outros. Dessa forma, ainda temos um dispositivo de 3 terminais, coletor, base e emissor, porém com uma capacidade de corrente na saída maior em relação a uma mesma corrente na base.
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Tensão coletor-emissor de saturação Vcesat: 2.5VDC
Corrente coletor Ic (máxima): 4A
Ganho de corrente (mínimo): 750 (Ic 1.5A e Vce 3V)
Encapsulamento: SOT-32
Temperatura de operação: -55 a 150°C
Acompanha
01 – Transistor BD677
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