Transistor NPN MJE13005 - MakerHero
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Componentes, Transistor

Transistor NPN MJE13005

REF: BCG15

O Transistor MJE13005 é um transistor do tipo BJT NPN, indicado para controle de circuitos chaveados como inversores, controladores de motor e acionamento de relés ou solenóides.

Principais características

  • Alta capacidade de tensão
  • Alta velocidade de chaveamento
  • Boa linearidade para amplificadores

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    FRETE E PRAZO

    O Transistor MJE13005 é um transistor do tipo BJT NPN, indicado para circuitos amplificadores e drivers de média potência ou como peça de reposição. Graças a capacidade de tensão alta, velocidade de chaveamento e a linearidade característica dos transistores de junção bipolar, permite a construção de circuitos chaveados como inversores, controles de motor, drivers de relés e solenoides e diversas outras aplicações, tanto em 110 quanto 220V.

    Dessa forma, por causa das suas características, pode ser utilizado em indústrias, circuitos eletrônicos portáteis ou que utilizam baterias e necessitam de fidelidade nos sinais.

    Como funciona o Transistor NPN MJE13005

    Os transistores de junção bipolar (BJT) trabalham com três camadas de dopagem, tipo P ou tipo N, unidos em série. A parte central será de uma dopagem enquanto as extremidades serão da dopagem oposta. Por isso os transistores desse tipo tem a especificação NPN ou PNP, o que ilustra a disposição das regiões de dopagem.

    A corrente que circula entre coletor e emissor é proporcional a corrente que entra na base do transistor. Sendo assim, um dos parâmetros principais refere-se justamente à amplificação da corrente de base em relação a corrente de coletor, que é o ganho de corrente DC de um transistor bipolar.

    Diferente dos mosfets, para o transistor bipolar permanecer ativo é preciso que haja circulação de corrente na base, dessa forma consumindo mais energia. Entretanto para amplificação de sinais analógicos o transistor bipolar possui uma linearidade maior, sendo mais fiel na amplificação de sinais e inserindo menos distorções.

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    Especificações MJE13005

    • Transistor MJE13005 (Datasheet)
    • Tipo: BJT NPN
    • Tensão coletor-emissor Vceo: 700VDC
    • Tensão coletor-base Vcbo: 700VDC
    • Tensão emissor-base Vebo: 9VDC
    • Tensão coletor-emissor de saturação Vcesat: 0.5VDC (Ic=500mA)
    • Corrente coletor Ic (máxima): 4A
    • Ganho de corrente (mínimo): 15 (Ic 500mA e Vce 5V)
    • Encapsulamento: TO-126
    • Temperatura de operação: -55 a 150°C

    Acompanha

    01 – Transistor MJE13005

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