Transistor NPN MJE3055T

O Transistor MJE3055T é um transistor do tipo BJT NPN, indicado para circuitos amplificadores e drivers de média potência ou como peça de reposição. Graças a alta corrente de coletor e a linearidade característica dos transistores de junção bipolar, permite a construção de circuitos com alta fidelidade de sinais e com um consumo de potência razoável. É complementar ao MJE2955T.

Dessa forma, por causa das suas características, pode ser utilizado em indústrias, circuitos eletrônicos portáteis ou que utilizam baterias e necessitam de fidelidade nos sinais.

Como funciona o Transistor NPN MJE3055T

Os transistores de junção bipolar (BJT) trabalham com três camadas de dopagem, tipo P ou tipo N, unidos em série. A parte central será de uma dopagem enquanto as extremidades serão da dopagem oposta. Por isso os transistores desse tipo tem a especificação NPN ou PNP, o que ilustra a disposição das regiões de dopagem.

A corrente que circula entre coletor e emissor é proporcional a corrente que entra na base do transistor. Sendo assim, um dos parâmetros principais refere-se justamente à amplificação da corrente de base em relação a corrente de coletor, que é o ganho de corrente DC de um transistor bipolar.

Diferente dos mosfets, para o transistor bipolar permanecer ativo é preciso que haja circulação de corrente na base, dessa forma consumindo mais energia. Entretanto para amplificação de sinais analógicos o transistor bipolar possui uma linearidade maior, sendo mais fiel na amplificação de sinais e inserindo menos distorções.

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Especificações do Transistor MJE3055T

• Transistor MJE3055T (Datasheet)
• Tipo: BJT NPN
• Tensão coletor-emissor Vceo: 60VDC
• Tensão coletor-base Vcbo: 70VDC
• Tensão emissor-base Vebo: 5VDC
• Tensão coletor-emissor de saturação Vcesat: 8VDC (Ic=10A)
• Corrente coletor Ic (máxima): 10A
• Ganho de corrente (mínimo):20 (Ic 4A e Vce 7V)
• Encapsulamento: TO-220
• Temperatura de operação: -55 a 150°C

Acompanha

01 – Transistor MJE3055T

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